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Si4214DDY-T1-E3
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
N otes:
0.1
P DM
0.05
t 1
t 1
t 2
0.02
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 110 °C/ W
0.01
S ingle    Pulse
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
S ingle    Pulse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
1 0
Sq u are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.
www.vishay.com
6
Document Number: 67907
S11-0653-Rev. A, 11-Apr-11
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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